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半導體材料中高精度元素成分含量檢測儀

簡要描述:半導體材料中高精度元素成分含量檢測儀
常用的設備有電感耦合等離子體光譜儀(ICP-OES)和X射線熒光光譜儀(XRF)。ICP-OES靈敏度高,可檢測ppb級雜質,適合痕量及超痕量金屬分析,如高純硅材料中的Fe、Cu等;XRF則具有非破壞性檢測優(yōu)勢,樣品無需溶解,可快速篩查硅片表面金屬污染物,如Fe、Cu,及分析濺射薄膜成分與厚度。兩者結合可全面滿足半導體材料檢測需求。

  • 產品型號:
  • 廠商性質:生產廠家
  • 更新時間:2025-12-01
  • 訪  問  量:250

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詳細介紹

半導體材料中高精度元素成分含量檢測儀

核心檢測技術及儀器

  1. 電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀(ICP-OES)

    • 實驗室使用的儀器(ICP-OES)詳細簡介

    • 儀器性能特點:

    •   1、儀器自動化程度高

    •   儀器的自動化程度,除了電源開關外,所有操作均由軟件完成。智能化的軟件,可實時可對各項操作進行實時反饋及信息提示。

    •   2、安全可靠的固態(tài)射頻電源

    •   儀器采用的射頻電源,具有體積小、輸出效率高、輸出功率穩(wěn)定,帶有水路、氣路及過載等各類安全保護功能,大大提升儀器的安全性,減小了儀器的故障率。

    •   3、全自動點火及匹配技術

    •   軟件可全自動一鍵點火,所有的參數設置變化,均自動完成。配合自動匹配技術,點火成功率高,操作簡便。

    •   4、智能化的火焰監(jiān)視功能

    •   儀器配置了靈敏度的光纖傳感器,可在儀器工作狀態(tài)下,實時監(jiān)測火焰的工作情況,如遇異常熄火情況,可自動關閉儀器。

    •   5、超高分辨率的光路系統(tǒng)

    •   儀器配置了超高分辨率的4320刻線的進口光柵,配合*的光路調節(jié)技術,把普通儀器的分辨率約0、008nm降低至0、005nm以內,超高的分辨率保證了測試元素之間沒有相互干擾。

    •   6、精度的恒溫系統(tǒng)

    •   儀器整體光路采用精密恒溫系統(tǒng)保護,溫度的控制可根據客戶實驗室實際環(huán)境溫度實時設定,無需長時間不間斷的開可調,控溫精度≤±0、1℃,精密的恒溫系統(tǒng)保證了光路的穩(wěn)定性,測試數據更穩(wěn)定。

    •   7、高精度的氣流控制系統(tǒng)

    •   儀器工作中的等離子氣、輔助氣、載氣全部采用高精度的質量流量控制器(MFC)來控制,具有流量連續(xù)可調、輸出氣流的精度高,保證了測試數據的準確性。

    •   8、蠕動泵進樣裝置

    •   儀器配置了通道十二滾軸的高精度蠕動泵,可同時保證進樣的精度和防止積液,蠕動泵的轉速連續(xù)可調,滿足客戶的多種測試要求。

    •   9、觀測位置自動調節(jié)

    •   儀器采用二維的移動平臺設計,可通過軟件實時調節(jié)炬管的位置,通過反饋的信號值找到優(yōu)化的觀測位置,以獲取較強的靈敏度,得出準確的測試效果。

    •   10、超低的使用成本

    •   儀器非工作狀態(tài)下儀器電源、冷卻水箱、氣體全部關閉,不產生任何費用,儀器工作即開即用,無需長時間的光路預熱。使用氬氣純度為99、99*%即可,無需99、999%的高純氬,成本節(jié)約至少三分之一。

    •   11、靈敏度的檢測器

    •   儀器配置了高靈敏度進口光電倍增管(PMT)作為檢測器,可針對不同的待測元素自動設置測試參數,以達到理想的檢測狀態(tài),給出準確的測試結果。無需制冷,無需吹掃,使用壽命長。

    •   ICP-OES儀器技術參數:

    •   1、輸入電源:電壓交流220V,電流20A。

    •   2、采用CzernyTurner型光路,焦距為1000mm。

    •   3、離子刻蝕全息光柵,刻劃面積(80×110)mm。

    •   4、全自動一鍵點火,自動匹配,點火穩(wěn)定、便捷。

    •   5、采用同心圓霧化器搭配旋流霧室,1ppmMn強度>1000000cps。

    •   6、分辨率(Mn257、610nm):≤0、005nm(4320刻線光柵);≤0、008nm(3600刻線光柵);≤0、015nm(2400刻線光柵)。

    •   7、波長范圍:190-460nm(4320刻線光柵);190-500nm(3600刻線光柵);190-800nm(2400刻線光柵)

    •   8、自主研發(fā)全固態(tài)射頻電源,輸出功率800-1600W,連續(xù)可調,電源效率大于65%,工作頻率27、12MHz,頻率穩(wěn)定性<0、05%,功率輸出穩(wěn)定性<0、05%。

  2. X射線熒光光譜儀(XRF)

    • 硅片表面金屬污染物快速篩查。

    • 石英坩堝純度驗證。

    • 對輕元素(如H、He、Li、Be)靈敏度低(檢測限>0.1%)。

    • 定量精度受基體效應影響(相對誤差約1%-5%)。

    • 非破壞性檢測:樣品無需溶解或研磨,可直接分析固體、粉末、液體。

    • 檢測范圍廣:可分析從鈉(Na)到鈾(U)的絕大多數元素。

    • 快速篩查:檢測時間僅需幾秒至幾分鐘,適合生產線批量檢測。

    • 波長色散型(WDXRF):分辨率高,適合高精度定量分析。

    • 能量色散型(EDXRF):速度快、便攜,適合現場分析。

    • 原理:用X射線照射樣品,激發(fā)特征熒光X射線,通過檢測波長和強度確定元素種類及含量。

    • 分類

    • 優(yōu)勢

    • 局限性

    • 應用場景

    • 應用場景


半導體材料中高精度元素成分含量檢測儀

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